纳米压印技术已被纳入2003版的国际半导体蓝图(ITRS)。纳米压印光刻目前被排在ITRS蓝图32纳米节点。32纳米节点有望在2009年的时间框架内出现，该技术的主要供应商之一Molecular Imprints Inc.(MII)宣称。
　　正在开发纳米压印工具的几家名不见经传的公司有EV Group、MII、Nanonex、Obducat等。MII公司CTO S.V. Sreenivasan表示，MII携手战略合作伙伴包括Lam Research、KLA-Tencor、Motorola、DARPA和其它公司，共同降低新技术带来的风险。这项新技术有可能提前走向市场，尤其应用于关键层。
　　与此同时，这项公告也为下一代光刻技术(NGL)，称为极超紫外线(EUV)的开发和生存能力投下了更多阴影。EUV原本预定到2007年投入主流应用，但英特尔和其它公司把该技术推迟到2009年左右。 基于沉浸技术的光刻技术正在快速进化，有可能把EUV推向绝境。而纳米压印光刻将被作为MEMS、光器件和其它产品制造的一个细分解决方案 。