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原子尺度存储器有望实现最高密度存储

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  威斯康星大学的科学家制成了一种用原子而不是硅元件表示数据的原子尺度存储器。这个成就是向实现存储密度比CD-ROM高一百万倍的实际存储器迈出的第一步。

 

 这种原子尺度存储器的制造不使用普通存储芯片所用的光刻技术。利用光刻技术提高目前芯片的存储密度既昂贵又困难。

  这种存储器被做在自动形成沟槽的硅表面上,沟槽中排列着几排硅原子,就像水槽中堆积着乒乓球。研究人员用扫描隧道显微镜探针拿起一个个硅原子,产生了一个个代表“0”的空隙,而留在原位的原子代表“1”。

  和普通存储器技术相似,这种原子尺度器件可以在室温下被初始化、格式化、写入、读出。但科学家发现在极低温下一次一个地控制原子并使它们保持稳定要比在室温下容易得多。

  尽管这项研究证明了原子尺度存储器的可行性,并为研究数据存储的基本极限提供了一个平台,但是要想获得可以大量生产的切实可用的原子存储器,还需要数年时间改进这项技术。

  更多信息请联系威斯康星大学的Terry Devitt,电子邮件:trdevitt@facstaff.wisc.edu或浏览www.physics.wisc.edu/~himpsel/memory.html。

来源:今日电子   作者:  2003/1/1 0:00:00
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