Dongbu与Eon Silicon Solutions联合完成130nm NOR闪存工艺研发

据Semiconductor Reporter网站报道，韩国代工厂Dongbu Electronics近期宣布，已经通过与台湾闪存fabless研发公司Eon Silicon Solutions Inc.合作，完成了130nm NOR闪存圆片工艺的研发。Dongbu期待第三季度可以实现该工艺下200mm圆片的量产，并于9月开始向Eon提供生产。

Dongbu表示其战略重点是为移动应用提供特殊解决方案，该制程可以实现3.3V下32、64、128兆闪存芯片的生产。到今年年底，Dongbu期望通过130nm NOR闪存工艺实现1.8V低电压器件的量产，并期待应用于手持移动设备。

Dongbu表示，该公司已经于2004年开始采用180nm工艺生产NOR闪存，并实现月产3500圆片。本次研发的130nm技术同样可以应用于CMOS图像传感器、高电压器件和LCD驱动集成电路等等。