Zarlink Semiconductor公司宣布研制成功一种用于在所有的硅衬底上制造高压、高速模拟芯片的先进晶圆制造服务和生产工艺。这项被称为HJV（高性能、J型工艺、高压）的制造工艺有望改进诸如DVD播放机、数字录像机和DSL调制解调器等消费类产品的性能。
　　

　　HJV硅工艺是一种采用全互补型npn和pnp晶体管结构的双多晶硅、三金属技术。为了克服以往需在高速与高压操作之间进行折衷这一弊端，该工艺采用了先进的制造技术，包括最新的外延附生、高能注入、深沟道隔离和快速热处理。
　

　　当集电极-发射极电压为5V时，两种晶体管的渡越频率均为12GHz，而且，它们的最大振荡频率为25GHz。这两种晶体管还具有大于12V的高集电极-发射极击穿电压，这对于大功率设计来说是很重要的。
　　

　　该公司供应的作为技术支持的评估套件提供了一套扩充的、特性优良的模拟元件，包括电流范围为0.1～40mA的npn/pnp器件、肖特基二极管、三种多晶硅电阻器、金属互化物电容器和采用最高级金属的电感器。如欲了解更多有关HJV工艺的信息，请访问http://foundry.zarlink.com/products/bipolar。
——Christina Nickolas